BD235 TO-126 Transistör
BD235, düşük voltajlı NPN güç transistörüdür. Bu transistör, Planar teknolojisi ve Base Island düzeni kullanılarak üretilmiştir. TO-126 (TO-126) kılıfında bulunan bu bileşen, çeşitli elektronik uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
BD235 transistör, düşük doyma voltajı özelliğiyle öne çıkar. Silisyum (Si) malzemeden üretilen bu NPN transistör, 25 W'a kadar kollektör güç dağıtımı sağlayabilir. 60 V'luk maksimum kollektör-baz ve kollektör-emiter voltajı ile 5 V'luk maksimum emiter-baz voltajı, çeşitli voltaj gereksinimlerini karşılar. 2 A'e kadar maksimum kollektör akımı taşıyabilme kapasitesi, yüksek akım uygulamaları için uygundur.
Kullanım Alanları
BD235 transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılır:
- Ses sistemleri (Audio systems)
- Doğrusal güç devreleri (Linear power circuits)
- Anahtarlamalı güç uygulamaları (Switching power applications)
- Genel amaçlı amplifikasyon devreleri (General-purpose amplification circuits)
Teknik Özellikler
- Transistör Malzemesi: Silisyum (Silicon)
- Polarite: NPN
- Maksimum Kollektör Güç Dağıtımı (Maximum Collector Power Dissipation): 25 W
- Maksimum Kollektör-Baz Voltajı (Maximum Collector-Base Voltage): 60 V
- Maksimum Kollektör-Emiter Voltajı (Maximum Collector-Emitter Voltage): 60 V
- Maksimum Emiter-Baz Voltajı (Maximum Emitter-Base Voltage): 5 V
- Maksimum Kollektör Akımı (Maximum Collector Current): 2 A
- Maksimum Çalışma Jonksiyon Sıcaklığı (Maximum Operating Junction Temperature): 150 °C
- Geçiş Frekansı (Transition Frequency): 3 MHz
- İleri Akım Transfer Oranı (Forward Current Transfer Ratio), MIN: 25
- Kılıf (Package): TO-126
BD235 transistör, güvenilir performansı ve çeşitli uygulamalardaki esnekliği ile elektronik tasarımcılar için değerli bir bileşendir. Düşük doyma voltajı ve yüksek akım kapasitesi, onu güç yönetimi ve amplifikasyon uygulamaları için ideal bir seçim haline getirir.
