IRFR3411TRPBF - (FR3411) TO-252 Transistör
IRFR3411TRPBF, yüksek performanslı bir N-kanal MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistördür. TO-252 paketinde sunulan bu güç transistörü, düşük on-direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri ile öne çıkar. IRFR3411TRPBF, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan güvenilir bir bileşendir.
Kullanım Alanları
IRFR3411TRPBF transistör, aşağıdaki alanlarda sıklıkla tercih edilir:
- Güç kaynakları (Power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- DC-DC dönüştürücüler (DC-DC converters)
- Batarya yönetim sistemleri (Battery management systems)
- Otomotiv elektroniği (Automotive electronics)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- LED aydınlatma sürücüleri (LED lighting drivers)
Teknik Özellikler
- Paket tipi: TO-252 (DPAK)
- Kanal tipi: N-kanal (N-channel)
- Drain-Kaynak gerilimi (Drain-Source voltage, VDSS): 100V
- Sürekli drain akımı (Continuous drain current, ID): 75A
- Maksimum güç dağılımı (Maximum power dissipation, PD): 107W
- Açık durum direnci (On-state resistance, RDS(on)): 8.5 mΩ (tipik @ VGS = 10V)
- Giriş kapasitansı (Input capacitance, Ciss): 2400 pF (tipik)
- Çıkış kapasitansı (Output capacitance, Coss): 410 pF (tipik)
- Açma gecikmesi süresi (Turn-on delay time, td(on)): 22 ns (tipik)
- Kapama gecikmesi süresi (Turn-off delay time, td(off)): 52 ns (tipik)
- Çalışma sıcaklık aralığı (Operating temperature range): -55°C ile +175°C arası
IRFR3411TRPBF, yüksek akım taşıma kapasitesi, düşük on-direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli güç yönetimi çözümleri için ideal bir seçimdir. TO-252 paketi, iyi ısı yayılımı sağlayarak yüksek güç uygulamalarında güvenilir performans sunar. Bu transistör, modern elektronik sistemlerin enerji verimliliği ve performans gereksinimlerini karşılamak için tasarlanmıştır.
