BUZ311 TO-218 Transistör
BUZ311, Siemens Semiconductor Group tarafından üretilen yüksek performanslı bir SIPMOS® güç transistörüdür. N-kanallı ve geliştirme modlu olan bu transistör, elektronik devrelerde güç kontrolü ve anahtarlama uygulamaları için ideal bir seçimdir.
BUZ311, 1000 V drain-source gerilimi (drain-source voltage) ve 2.5 A drain akımı (drain current) kapasitesi ile öne çıkan bir güç transistörüdür. 5Ω gibi düşük bir drain-source açık durum direnci (RDS(on)) sunan bu transistör, yüksek verimlilik gerektiren uygulamalar için mükemmel bir seçenektir. TO-218 AA paket tipinde sunulan BUZ311, güçlü termal yönetim özellikleri ile dikkat çekmektedir.
Kullanım Alanları
BUZ311 transistör, aşağıdaki alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır:
- Yüksek gerilimli güç kaynakları (High voltage power supplies)
- Anahtarlamalı güç kaynakları (Switched-mode power supplies)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- Aydınlatma kontrol devreleri (Lighting control circuits)
- Yüksek frekanslı inverterler (High-frequency inverters)
Teknik Özellikler
- Drain-source gerilimi (Drain-source voltage - VDS): 1000 V
- Drain-gate gerilimi (Drain-gate voltage - VDGR): 1000 V
- Drain akımı (Drain current - ID): 2.5 A
- Drain-source açık durum direnci (Drain-source on-resistance - RDS(on)): 5Ω (VGS = 10 V, ID = 1.5 A)
- Gate eşik gerilimi (Gate threshold voltage - VGS(th)): 2.1 V (ID = 0.25 mA, Tj = 25 °C)
- Sıfır gate gerilimi drain akımı (Zero gate voltage drain current - IDSS): 250 µA (VDS = 1000 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C)
- Gate-source kaçak akımı (Gate-source leakage current - IGSS): 100 nA (VGS = 20 V, VDS = 0 V)
- Transkonduktans (Transconductance - gfs): 0.7 S (tipik)
BUZ311, yüksek gerilim dayanımı, düşük açık durum direnci ve güvenilir performansı ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilen bir transistördür. Profesyonel tasarımcılar için ideal olan bu komponent, zorlu çalışma koşullarında bile üstün performans sunmaktadır.
