1500 TL Üzeri Kargo Ücretsiz
1500 TL Üzeri Kargo Ücretsiz
  0850 532 3077
  0539 577 3121
Para Birimi Seçimi
  • GT50J102%20TO-3PL%20IGBT%20Transistör
GT50J102 TO-3PL IGBT Transistör
Ürün Kodu : YMU2402843         Yorumlar (0)        Yorum Ekle
259.13 TL   Kdv Dahil
Kalan Stok: 4

GT50J102 TO-3PL IGBT Transistör

GT50J102 TO-3PL, yüksek performanslı bir Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistör (Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT) modelidir. Bu IGBT, güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan, N-kanallı bir yarı iletken cihazdır. TO-3PL paketi içinde sunulan bu transistör, yüksek güç kapasitesi ve verimli ısı yönetimi özellikleriyle öne çıkar.


IGBT teknolojisi, MOSFET'lerin yüksek giriş empedansı ve bipolar transistörlerin düşük iletime geçiş direnci özelliklerini birleştirir. Bu kombinasyon, GT50J102'yi özellikle yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları için ideal bir seçim haline getirir. 600V kollektör-emiter voltajı ve 50A kollektör akımı kapasitesi, bu transistörün geniş bir uygulama yelpazesinde kullanılabilmesini sağlar.


Kullanım Alanları:

- Değişken hızlı motor sürücüleri (Variable speed motor drives)

- Güç kaynakları (Power supplies)

- Kesintisiz güç kaynakları (UPS - Uninterruptible Power Supplies)

- İndüksiyon ısıtma sistemleri (Induction heating systems)

- Elektrikli araç invertörleri (Electric vehicle inverters)

- Solar invertörler (Solar inverters)

- Kaynak makineleri (Welding machines)


Teknik Özellikler:

- Maksimum Güç Dağılımı (Maximum Power Dissipation - Pc): 200W

- Maksimum Kollektör-Emiter Voltajı (Maximum Collector-Emitter Voltage - |Vce|): 600V

- Maksimum Kapı-Emiter Voltajı (Maximum Gate-Emitter Voltage - |Vge|): 20V

- Maksimum Kollektör Akımı (Maximum Collector Current - |Ic| @25℃): 50A

- Kollektör-Emiter Doyum Voltajı (Collector-Emitter saturation Voltage - |VCE(sat)|, typ): 3V

- Maksimum Bileşke Sıcaklığı (Maximum Junction Temperature - Tj): 150℃

- Yükselme Zamanı (Rise Time - tr, typ): 300nS

- Paket Tipi (Package): TO-3PL


GT50J102, düşük anahtarlama kayıpları (low switching losses) ve yüksek kısa devre dayanımı (high short-circuit withstand capability) gibi özellikleriyle güvenilir ve verimli bir performans sunar. Ayrıca, geniş güvenli çalışma alanı (Safe Operating Area - SOA) sayesinde zorlu çalışma koşullarında bile güvenle kullanılabilir. Bu IGBT modeli, modern güç elektroniği sistemlerinin tasarımında mühendislere esneklik ve güvenilirlik sağlar.

Toplam 0 yorum yapıldı


Yorum yaptığınız teşekkür ederiz. Yorumunuz icelendikten sonra yayınlanacaktır.
Sizde yorum yapın
Doğrulama Kodu
BENZER ÜRÜNLER
   Sepete Ekle
IRLR2905TRPBF TO-252 N-CHANNEL MOSFET
   Sepete Ekle
HY3912W TO-247 Transistör
   Sepete Ekle
MCR100-6 TO-92 Tristör
   Sepete Ekle
BF198 TO-126 Transistör
   Sepete Ekle
SD336C TO-126 Transistör
   Sepete Ekle
BC546B TO-92 Transistör
Ücretsiz Kargo
   Sepete Ekle
2DI300A-050 IGBT Modül Transistör
Ücretsiz Kargo
   Sepete Ekle
6MBP50TEA120-50 IGBT Modül Transistör
   Sepete Ekle
MPSA92 BUF508A TO-92 Transistör
   Sepete Ekle
BUP306 TO-218 Transistör
   Sepete Ekle
2N5088 TO-92 Transistör
   Sepete Ekle
MTP30N08M TO-220 Transistör
E-Bülten
İndirimli ürünler ve fırsatlardan ilk önce siz haberdar olmak istermisiniz?
softtr® | Profesyonel E-Ticaret Sistemleri ile hazırlanmıştır.