SPD07N60S5 TO-252 Transistör
SPD07N60S5, Infineon tarafından üretilen yüksek performanslı bir N-Kanallı Güç MOSFET'tir (N-Channel Power MOSFET). Bu transistör, 600V gerilim dayanımı ve 7.3A sürekli akım kapasitesi ile öne çıkmaktadır. TO-252 (DPAK) kılıf tipinde sunulan bu bileşen, kompakt boyutları sayesinde alan kısıtlaması olan uygulamalar için idealdir.
Bu MOSFET, düşük iletime geçiş direnci (RDS(on)) olan 0.6 ohm değeri ile yüksek verimlilik sağlar. Bu özellik, ısı yayılımını azaltarak cihazın genel performansını artırır ve enerji tüketimini düşürür. SPD07N60S5, hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda mükemmel performans gösterir.
Kullanım Alanları:
- Anahtarlamalı güç kaynakları (Switched-mode power supplies - SMPS)
- Motor sürücüleri (Motor drivers)
- LED aydınlatma sistemleri (LED lighting systems)
- Endüstriyel kontrol sistemleri (Industrial control systems)
- Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler (High-voltage DC-DC converters)
- Solar invertörler (Solar inverters)
- Elektrikli araç şarj sistemleri (Electric vehicle charging systems)
Teknik Özellikler:
- Dren-Kaynak Gerilimi (Drain-Source Voltage): 600V
- Sürekli Dren Akımı (Continuous Drain Current): 7.3A
- İletime Geçiş Direnci (RDS(on)): 0.6 ohm
- Kılıf Tipi (Package Type): TO-252 (DPAK)
- Kanal Tipi (Channel Type): N-Kanal (N-Channel)
- Teknoloji (Technology): Silikon, Metal-oksit Yarı İletken FET (Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET)
- Maksimum Çalışma Sıcaklığı (Maximum Operating Temperature): 150°C (tipik)
SPD07N60S5, güvenilirliği, yüksek performansı ve enerji verimliliği ile modern güç elektroniği uygulamalarının taleplerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Bu MOSFET, profesyonel elektronik tasarımcılar için mükemmel bir seçenek sunmaktadır.
